MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 5.1 Ω N, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ036NE2LSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
259-1482
Codice costruttore:
BSZ036NE2LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

TSDSON

Serie

BSZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.1Ω

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-40-502

La famiglia di prodotti Infineon Optimos 25 V, Infineon stabilisce nuovi standard in termini di densità di potenza e efficienza energetica per i MOSFET di potenza discreti e il sistema in contenitore. La carica di uscita e di gate ultrabassa, insieme alla resistenza in stato attivo più bassa in contenitori di ingombro ridotto, rendono Optimos 25 V la scelta migliore per i requisiti più impegnativi delle soluzioni di regolatori di tensione in applicazioni di server, datacom e telecomunicazioni. Disponibile in configurazione a mezzo ponte (fase di potenza 5 x 6). Riduce al minimo le EMI nel sistema, rendendo le reti snubber esterne obsolete e i prodotti facili da progettare.

Risparmio sui costi complessivi del sistema riducendo il numero di fasi nei convertitori multifase

Riduzione delle perdite di potenza e aumento dell'efficienza per tutte le condizioni di carico

Risparmio di spazio con i contenitori più piccoli come CanPAK, S3O8 o soluzione System in Package

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