MOSFET Infineon, canale Tipo P, Tipo N 20 V, 150 mΩ Doppio, 5.1 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ215CHXTMA1

Codice RS:: 258-0721
Codice costruttore:: BSZ215CHXTMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P, Tipo N 20 V, 150 mΩ Doppio, 5.1 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ215CHXTMA1

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Codice RS:: 258-0721
Codice costruttore:: BSZ215CHXTMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	5.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	TSDSON
	Serie	BSZ
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	150mΩ
	Modalità canale	Doppio
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	700mV
	Temperatura massima di funzionamento	+175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 5.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package TSDSON
	Serie BSZ
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ
	Modalità canale Doppio
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 700mV
	Temperatura massima di funzionamento +175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSZ215CHXTMA1

MOSFET Infineon serie BSZ, tensione massima drain-source di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 5,1 A - BSZ215CHXTMA1

Questo MOSFET a doppio canale combina elementi a canale P e N in un pacchetto compatto a montaggio superficiale per la commutazione di potenza e le attività di gestione. Progettato per l'assemblaggio a livello di scheda, funziona in un'ampia gamma di temperature ed è adatto per le applicazioni in cui entrambi i canali di polarità sono richiesti in un unico dispositivo, rispettando al contempo le direttive RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:

• La bassa resistenza drain-source riduce le perdite di conduzione
• La disposizione a doppio canale consente funzioni di commutazione complementari
• Il montaggio superficiale a 8 pin TSDSON facilita il posizionamento dei circuiti stampati ad alta densità
• La tensione diretta di 0,7 V riduce al minimo l'azionamento del gate al di sopra della testa
• L'ampia tolleranza alla temperatura supporta ambienti termici difficili

Applicazioni

• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione CC in sistemi compatti
• Ideale per le disposizioni a mezzo ponte complementari su schede singole
• Utilizzato per la commutazione del gate driver e del carico nell'elettronica di controllo
• Può essere utilizzato per progetti termicamente stabili che operano in condizioni estreme

Qual è l'intervallo di temperatura ambiente massimo che può gestire?

È specificato per funzionare fino a una temperatura massima di +175 °C.

In che modo il dispositivo supporta la commutazione a bassa perdita?

Il dispositivo è dotato di una resistenza massima drain-source di 150 mΩ che riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento ad alta corrente.

Quale numero di pin e stile di montaggio devono aspettarsi i progettisti?

Il componente è fornito in un pacchetto TSDSON a 8 pin configurato per il montaggio superficiale.

Entrambe le polarità dei canali sono disponibili nello stesso pacchetto?

Sì, il componente integra MOSFET a canale P e a canale N per progetti di circuiti complementari.

Il dispositivo è adatto ai requisiti delle specifiche automobilistiche?

Non è designato come parte standard per il settore automobilistico, ma è conforme alle restrizioni ambientali RoHS.