MOSFET Infineon, canale Tipo P, Tipo N 20 V, 15 mΩ Doppio, 5.1 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2770,00 €

(IVA esclusa)

3380,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 02 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,554 €2.770,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-0720
Codice costruttore:
BSZ215CHXTMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

BSZ

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15mΩ

Modalità canale

Doppio

Tensione diretta Vf

0.7V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza complementari Infineon - un MOSFET di potenza a canale n e un MOSFET di potenza a canale p all'interno dello stesso contenitore - fanno parte delle famose famiglie OptiMOS a bassa tensione, leader di mercato nelle soluzioni ad alta efficienza per la generazione di potenza, l'alimentazione e il consumo energetico.

Canale p + n complementare

Modalità di potenziamento

Valanga

Qualificato secondo AEC Q101

Link consigliati