MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V N, 180 A, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

2186,00 €

(IVA esclusa)

2667,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 28 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +2,186 €2.186,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
259-1540
Codice costruttore:
IPB014N06NATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La famiglia di prodotti Infineon Optimos 25 V, Infineon stabilisce nuovi standard in termini di densità di potenza e efficienza energetica per i MOSFET di potenza discreti e il sistema in contenitore. La carica di uscita e di gate ultrabassa, insieme alla resistenza in stato attivo più bassa in contenitori di ingombro ridotto, rendono Optimos 25 V la scelta migliore per i requisiti più impegnativi delle soluzioni di regolatori di tensione in applicazioni di server, datacom e telecomunicazioni. Disponibile in configurazione a mezzo ponte (fase di potenza 5 x 6).

Modalità di potenziamento canale N

Certificazione AEC

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

Temperatura d'esercizio 175 °C

Prodotto ecologico (conforme a RoHS)

Rds(on) ultrabassi

Testato al 100% contro le valanghe

Link consigliati