MOSFET STMicroelectronics, canale Doppio N 95 V, 1 Ω, 5 Pin, LBB, Superficie

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Codice RS:
261-5583
Codice costruttore:
RF5L15120CB4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

95V

Tipo di package

LBB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1Ω

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

28.95mm

Standard/Approvazioni

2002/95/EC

Larghezza

5.85mm

Altezza

2.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il FET LDMOS da 120 W STMicroelectronics, progettato per le comunicazioni commerciali a banda larga, le trasmissioni TV, l'avionica e le applicazioni industriali con frequenze da HF a 1,5 GHz. Può essere utilizzato in classe AB/B e classe C per tutti i formati di modulazione tipici.

Elevata efficienza e operazioni di guadagno lineare

Protezione ESD integrata

Ampia gamma di tensioni di sorgente o gate positivi e negativi

Eccellente stabilità termica, bassa deriva HCI

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