MOSFET onsemi, canale N 900 V, 14 mΩ N, 149 A, 20 Pin, F2-VIENNA: custodia 180BZ, Superficie

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Codice RS:
261-9558
Codice costruttore:
NXH020U90MNF2PTG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

149A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

900V

Tipo di package

F2-VIENNA: custodia 180BZ

Serie

NXH020U90MNF2PTG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

20

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

352W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

546.4nC

Tensione diretta Vf

6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

18V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Halide Free, Pb-Free, RoHS

Standard automobilistico

No

I MOSFET ON Semiconductor forniscono un modulo di potenza contenente un modulo raddrizzatore viennese composto da due interruttori da 10 milli-ohm con tecnologia M2 e sono azionati con l'azionamento del gate da 15 V-18 V.

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