MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 10 mΩ Miglioramento, 149 A, 34 Pin, PIM34 NXH007F120M3F2PTHG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-577
Codice costruttore:
NXH007F120M3F2PTHG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

149A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

PIM34

Serie

NXH

Numero pin

34

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

407nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Tensione diretta Vf

6V

Dissipazione di potenza massima Pd

34.2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di ON Semiconductor è un modulo di potenza contenente un half-bridge di MOSFET SiC da 7 m ohm / 1200 V e un termistore con HPS DBC in un pacchetto F2.

Senza alogeni

Conformità RoHS

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