MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 0.075 Ω Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 262-6782
- Codice costruttore:
- IRFZ34NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 262-6782
- Codice costruttore:
- IRFZ34NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 29A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.075Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 29A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.075Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa per area di silicio. Questo design è dotato di caratteristiche quali temperatura d'esercizio di 175 °C, velocità di commutazione rapida.
Completamente resistente a valanghe
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