MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 0.075 Ω Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRFZ34NSTRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-6784
Codice costruttore:
IRFZ34NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.075Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-41-681

Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa per area di silicio. Questo design è dotato di caratteristiche quali temperatura d'esercizio di 175 °C, velocità di commutazione rapida.

Completamente resistente a valanghe

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