MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 0.075 Ω Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRFZ34NSTRLPBF

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

6,73 €

(IVA esclusa)

8,21 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
In magazzino
  • Più 280 unità in spedizione dal 23 febbraio 2026
  • Più 800 unità in spedizione dal 04 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,673 €6,73 €
100 - 2400,641 €6,41 €
250 - 4900,626 €6,26 €
500 - 9900,586 €5,86 €
1000 +0,545 €5,45 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-6784
Codice Distrelec:
304-41-681
Codice costruttore:
IRFZ34NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.075Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa per area di silicio. Questo design è dotato di caratteristiche quali temperatura d'esercizio di 175 °C, velocità di commutazione rapida.

Completamente resistente a valanghe

Link consigliati