MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 0.105 Ω Miglioramento, 31 A, 3 Pin, PG-TO263-3-2, Foro passante IPB60R099CPAATMA1

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Codice RS:
273-2773
Codice costruttore:
IPB60R099CPAATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

CoolMOS CPA

Tipo di package

PG-TO263-3-2

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.105Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

255W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

40mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

40 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di Infineon consiste in un transistor di potenza CoolMOS. Questo MOSFET presenta un'elevata capacità di corrente di picco con la migliore Rds a livello mondiale. Questo CoolMOS è progettato appositamente per i convertitori CC-CC per applicazioni automobilistiche.

Conforme a RoHS

Carica gate ultrabassa

Elevata capacità di corrente di picco

Certificazione AEC Q101 per impieghi automobilistici

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