MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 99 mΩ Miglioramento, 21 A, 4 Pin, PG-VSON-4, Superficie IPL65R099C7AUMA1

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Codice RS:
273-2789
Codice costruttore:
IPL65R099C7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

PG-VSON-4

Serie

IPL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Dissipazione di potenza massima Pd

128W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC (J-STD20 and JESD22)

Il MOSFET di Infineon consiste in un transistor di potenza CoolMOS C7 da 650 V. CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di supergiunzione e sviluppata da Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alto livello. Il portafoglio prodotti offre tutti i vantaggi dei MOSFET a supergiunzione a commutazione rapida, con una migliore efficienza, una carica di gate ridotta, una facile implementazione e un'eccezionale affidabilità.

Placcatura senza piombo

Conforme a RoHS

Minori perdite di commutazione

Aumenta la densità di potenza

Consente di aumentare la frequenza

Composto per stampi privo di alogeni

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