MOSFET singoli Infineon, canale Tipo P 100 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 76 A, 6 Pin, PG-VSON-6, Superficie IGC033S101

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Codice RS:
559-213
Codice costruttore:
IGC033S101
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

76A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

CoolGaN

Tipo di package

PG-VSON-6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

6.5 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.1 mm

Altezza

1mm

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

JESD22, JEDEC JESD47, J-STD-020

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor Infineon CoolGaN 100 V G3 offre una commutazione ultraveloce e un'elevata efficienza. È dotato di un pacchetto salvaspazio, altamente robusto e senza carica di recupero inversa. Inoltre, ha una carica di gate e una carica di uscita bassissime per garantire prestazioni ottimali.

Carica di gate e di uscita bassissima

Grado di umidità MSL1

Pacchetto 3x5 di tipo industriale

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