MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 0.23 Ω Miglioramento, 10 A, 4 Pin, PG-VSON-4, Superficie IPL65R230C7AUMA1

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Codice RS:
273-5349
Codice costruttore:
IPL65R230C7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

PG-VSON-4

Serie

CoolMOS C7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.23Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Dissipazione di potenza massima Pd

67W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC(J-STD20 andJESD22)

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon è realizzato con la rivoluzionaria tecnologia CoolMOSTM per i MOSFET di potenza ad alta tensione. È stato progettato secondo il principio della supergiunzione e pionierizzato da Infineon Technologies. La serie CoolMOSTM C7 combina l'esperienza del principale fornitore di MOSFET SJ con l'innovazione di alta classe. Il portafoglio di prodotti offre tutti i vantaggi dei MOSFET a super giunzione a commutazione rapida che offrono una maggiore efficienza, una carica di gate ridotta, una facile implementazione e un'eccezionale affidabilità.

Senza alogeni

Migliore efficienza

Placcatura senza piombo

Elevata densità di potenza

Migliore controllo del cancello

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