MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 5.7 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Foro passante IPB057N06NATMA1

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Codice RS:
273-2997
Codice costruttore:
IPB057N06NATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

IPB057N06N

Tipo di package

PG-TO263-3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Minima temperatura operativa

-5°C

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC 1, IEC61249-2-21

Larghezza

40 mm

Lunghezza

40mm

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon è ottimizzato per la rettifica sincrona in alimentatori in modalità switching (SMPS), come quelli presenti in server e computer desktop e caricabatterie per tablet. Inoltre, questi dispositivi sono una scelta perfetta per un'ampia gamma di applicazioni industriali

Massima efficienza del sistema

Meno parallelizzazione richiesta

Maggiore densità di potenza

Riduzione dei costi del sistema

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