MOSFET Infineon 800 V, 1.4 mΩ, 4 A, 3 Pin, PG-TO251-3, Foro passante IPU80R1K4P7AKMA1

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Codice RS:
273-7470
Codice costruttore:
IPU80R1K4P7AKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

800V CoolMOS P7

Tipo di package

PG-TO251-3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

32W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di Infineon offre una migliore resa produttiva riducendo i guasti legati alle ESD. Questo MOSFET presenta meno problemi di produzione, riduce i ritorni sul campo e consente di selezionare facilmente le parti giuste per la messa a punto dei progetti. Permette di realizzare progetti a più alta densità di potenza, di risparmiare BOM e di ridurre i costi di assemblaggio.

Portafoglio completamente ottimizzato

Prestazioni migliori della categoria

Facile da pilotare e da mettere in parallelo

Protezione ESD con diodo zener integrato

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