MOSFET Infineon 800 V, 1.4 mΩ, 4 A, 3 Pin, PG-TO251-3, Foro passante
- Codice RS:
- 273-7471
- Codice costruttore:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
4,73 €
(IVA esclusa)
5,77 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 1495 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 0,946 € | 4,73 € |
| 10 - 20 | 0,77 € | 3,85 € |
| 25 - 45 | 0,756 € | 3,78 € |
| 50 - 95 | 0,738 € | 3,69 € |
| 100 + | 0,61 € | 3,05 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7471
- Codice costruttore:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | PG-TO251-3 | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 32W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC for Industrial Applications, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package PG-TO251-3 | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 32W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC for Industrial Applications, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di Infineon offre una migliore resa produttiva riducendo i guasti legati alle ESD. Questo MOSFET presenta meno problemi di produzione, riduce i ritorni sul campo e consente di selezionare facilmente le parti giuste per la messa a punto dei progetti. Permette di realizzare progetti a più alta densità di potenza, di risparmiare BOM e di ridurre i costi di assemblaggio.
Portafoglio completamente ottimizzato
Prestazioni migliori della categoria
Facile da pilotare e da mettere in parallelo
Protezione ESD con diodo zener integrato
Link consigliati
- MOSFET Infineon 800 V 4 A PG-TO251-3, Foro passante IPU80R1K4P7AKMA1
- MOSFET Infineon 0.75 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 0.75 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante IPU95R750P7AKMA1
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IAUA200N04S5N010AUMA1
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IPT014N08NM5ATMA1
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IAUA120N04S5N014AUMA1
