MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 0.75 Ω Miglioramento, 9 A, 3 Pin, PG-TO251-3, Foro passante IPU95R750P7AKMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 75 unità*

81,75 €

(IVA esclusa)

99,75 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1425 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
75 - 751,09 €81,75 €
150 +1,011 €75,83 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-3023
Codice costruttore:
IPU95R750P7AKMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

950V

Serie

IPU

Tipo di package

PG-TO251-3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.75Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Dissipazione di potenza massima Pd

73W

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon è progettato per soddisfare le crescenti esigenze dei consumatori nell'arena dei MOSFET ad alta tensione, l'ultima tecnologia 950 V Cool MOS P7 si concentra sul mercato SMPS a bassa potenza. Il diodo integrato migliora notevolmente la robustezza ESD, riducendo

Facile da azionare e da progettare

Migliore rendimento di produzione riducendo i guasti legati alle ESD

Meno problemi di produzione e ridotto ritorno sul campo

Link consigliati