MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 1.2 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie
- Codice RS:
- 273-2786
- Codice costruttore:
- IPD95R1K2P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,848 € | 9,24 € |
| 50 - 95 | 1,678 € | 8,39 € |
| 100 - 245 | 1,54 € | 7,70 € |
| 250 - 995 | 1,42 € | 7,10 € |
| 1000 + | 1,316 € | 6,58 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-2786
- Codice costruttore:
- IPD95R1K2P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 950V | |
| Tipo di package | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 52W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 950V | ||
Tipo di package PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 52W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è un dispositivo di potenza CoolMOS P7 SJ da 950 V. La nuova serie CoolMOS P7 da 950 V stabilisce un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie a supergiunzione da 950 V e combina le migliori prestazioni della categoria con una facilità d'uso all'avanguardia. Consente di realizzare progetti a più alta densità di potenza, di risparmiare sulla distinta base e di ridurre i costi di assemblaggio. Offre una migliore resa produttiva riducendo i guasti legati alle ESD.
Meno problemi di produzione
Portafoglio completamente ottimizzato
Facile da pilotare e da mettere in parallelo
Protezione ESD con diodo Zener integrato