MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 1.2 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie IPD95R1K2P7ATMA1

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Codice RS:
273-2785
Codice costruttore:
IPD95R1K2P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

950V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TO252-3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un dispositivo di potenza CoolMOS P7 SJ da 950 V. La nuova serie CoolMOS P7 da 950 V stabilisce un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie a supergiunzione da 950 V e combina le migliori prestazioni della categoria con una facilità d'uso all'avanguardia. Consente di realizzare progetti a più alta densità di potenza, di risparmiare sulla distinta base e di ridurre i costi di assemblaggio. Offre una migliore resa produttiva riducendo i guasti legati alle ESD.

Meno problemi di produzione

Portafoglio completamente ottimizzato

Facile da pilotare e da mettere in parallelo

Protezione ESD con diodo Zener integrato

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