MOSFET Infineon, canale N 950 V, 1.2 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie IPD95R1K2P7ATMA1

Codice RS:: 273-2785
Codice costruttore:: IPD95R1K2P7ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 950 V, 1.2 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie IPD95R1K2P7ATMA1

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:: 273-2785
Codice costruttore:: IPD95R1K2P7ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	950V
	Serie	OptiMOS
	Tipo di package	PG-TO252-3
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.2Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	52W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	15nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 950V
	Serie OptiMOS
	Tipo di package PG-TO252-3
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 52W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPD95R1K2P7ATMA1

MOSFET Infineon serie OptiMOS, dissipazione di potenza 52 W, tensione drain-source 950 V - IPD95R1K2P7ATMA1

Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in intervalli di temperatura impegnativi. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento adatto per le applicazioni che richiedono un equilibrio tra capacità di resistenza alla tensione e corrente continua moderata. Il componente è fornito in una confezione PG-TO252-3 ed è conforme alle restrizioni ambientali RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:

• La capacità drain-source di 950 V consente la commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 6 A che supporta carichi di media potenza
• Dissipazione di potenza di 52 W per la gestione termica nei convertitori
• RDS(on) di 1,2 Ω che riduce al minimo le perdite di conduzione a basse frequenze
• Carica gate tipica di 15 nC che consente transizioni di commutazione controllate

Applicazioni

• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione
• Ideale per la commutazione a bassa frequenza nelle alimentazioni industriali
• Utilizzato con schede a montaggio superficiale che richiedono dispositivi di alimentazione compatti
• Può essere utilizzato per sistemi che operano da -55 °C a 150 °C
• Utilizzato per fasi di commutazione discrete nella gestione dell'alimentazione

Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati per un corretto funzionamento?

Il gate non deve superare ±20 V rispetto alla sorgente per evitare sovraccarichi elettrici.

Come si comporta il dispositivo a temperature estreme?

Mantiene un funzionamento specificato da -55 °C fino a 150 °C, consentendo un ampio margine termico per ambienti difficili.

Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza?

È fornito in un contenitore PG-TO252-3 progettato per il montaggio superficiale per fornire un'integrazione compatta del circuito stampato.

Questo componente è adatto per la conformità agli standard automobilistici?

Non è specificato come conforme agli standard di livello automobilistico e non deve essere considerato conforme.