MOSFET Infineon, canale N 950 V, 0.75 Ω Miglioramento, 9 A, 3 Pin, PG-TO251-3, Foro passante

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Codice RS:
273-3024
Codice costruttore:
IPU95R750P7AKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

950V

Serie

IPU

Tipo di package

PG-TO251-3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.75Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

73W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Tensione diretta Vf

900mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon è progettato per soddisfare le crescenti esigenze dei consumatori nell'arena dei MOSFET ad alta tensione, l'ultima tecnologia 950 V Cool MOS P7 si concentra sul mercato SMPS a bassa potenza. Il diodo integrato migliora notevolmente la robustezza ESD, riducendo

Facile da azionare e da progettare

Migliore rendimento di produzione riducendo i guasti legati alle ESD

Meno problemi di produzione e ridotto ritorno sul campo

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