MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 0.75 Ω Miglioramento, 9 A, 3 Pin, PG-TO251-3, Foro passante
- Codice RS:
- 273-3024
- Codice costruttore:
- IPU95R750P7AKMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 273-3024
- Codice costruttore:
- IPU95R750P7AKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 950V | |
| Serie | IPU | |
| Tipo di package | PG-TO251-3 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.75Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 23nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 73W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, JEDEC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 950V | ||
Serie IPU | ||
Tipo di package PG-TO251-3 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.75Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 73W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Infineon è progettato per soddisfare le crescenti esigenze dei consumatori nell'arena dei MOSFET ad alta tensione, l'ultima tecnologia 950 V Cool MOS P7 si concentra sul mercato SMPS a bassa potenza. Il diodo integrato migliora notevolmente la robustezza ESD, riducendo
Facile da azionare e da progettare
Migliore rendimento di produzione riducendo i guasti legati alle ESD
Meno problemi di produzione e ridotto ritorno sul campo
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