MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 130 mΩ Miglioramento, 36.5 A, 3 Pin, PG-TO-247, Foro passante IPW95R130PFD7XKSA1
- Codice RS:
- 284-923
- Codice costruttore:
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 284-923
- Codice costruttore:
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 36.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 950V | |
| Tipo di package | PG-TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 130mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 227W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 36.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 950V | ||
Tipo di package PG-TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 130mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 227W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è dotato di un dispositivo di alimentazione avanzato che rappresenta l'ultima innovazione nella tecnologia super junction, progettata specificamente per applicazioni impegnative come l'illuminazione e gli alimentatori industriali. L'integrazione di diodi con corpo ultrarapido migliora la reattività, il che lo rende ideale per le topologie di risonanza. Con prestazioni robuste e affidabilità superiore, questo dispositivo è all'avanguardia per quanto riguarda l'efficienza nella gestione dell'alimentazione. Particolare attenzione è stata dedicata alla riduzione della carica di recupero inversa, consentendo frequenze di commutazione più elevate e una maggiore densità di potenza nei progetti.
Il diodo a corpo rapido integrato garantisce l'affidabilità
Le migliori prestazioni termiche della categoria per un'efficiente dissipazione del calore
La struttura resistente favorisce la stabilità a lungo termine
Integrazione perfetta nei circuiti esistenti
Ottimale per le applicazioni ad alta tensione con una maggiore sicurezza
Il pacchetto compatto riduce l'ingombro su PCB e aumenta la flessibilità