MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 130 mΩ Miglioramento, 36.5 A, 3 Pin, PG-TO-247, Foro passante IPW95R130PFD7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-923
Codice costruttore:
IPW95R130PFD7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

36.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

950V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

PG-TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

227W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET Infineon è dotato di un dispositivo di alimentazione avanzato che rappresenta l'ultima innovazione nella tecnologia super junction, progettata specificamente per applicazioni impegnative come l'illuminazione e gli alimentatori industriali. L'integrazione di diodi con corpo ultrarapido migliora la reattività, il che lo rende ideale per le topologie di risonanza. Con prestazioni robuste e affidabilità superiore, questo dispositivo è all'avanguardia per quanto riguarda l'efficienza nella gestione dell'alimentazione. Particolare attenzione è stata dedicata alla riduzione della carica di recupero inversa, consentendo frequenze di commutazione più elevate e una maggiore densità di potenza nei progetti.

Il diodo a corpo rapido integrato garantisce l'affidabilità

Le migliori prestazioni termiche della categoria per un'efficiente dissipazione del calore

La struttura resistente favorisce la stabilità a lungo termine

Integrazione perfetta nei circuiti esistenti

Ottimale per le applicazioni ad alta tensione con una maggiore sicurezza

Il pacchetto compatto riduce l'ingombro su PCB e aumenta la flessibilità

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