MOSFET Vishay, canale Tipo P 40 V, 0.009 Ω Miglioramento, 60.6 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR4409DP-T1-RE3

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Codice RS:
279-9939
Codice costruttore:
SIR4409DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SiR

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.009Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

126nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

59.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5.15mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale P e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza di nuova generazione

Testato al 100% Rg e UIS

Prodotto FOM ultrabasso RDS x Qg

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

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