MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo P, Tipo N 650 V, 300 mΩ Miglioramento, 6.5 A, 31 Pin, QFN-9, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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3000 +8,526 €25.578,00 €

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Codice RS:
287-7042
Codice costruttore:
MASTERGAN4LTR
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

MASTERG

Tipo di package

QFN-9

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

31

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

300mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

40mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.5nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

9mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

RoHS, ECOPACK

Larghezza

9 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il microcontrollore STMicroelectronics è un sistema di alimentazione avanzato in un pacchetto che integra un gate driver e due transistor GaN in modalità enhancement in configurazione half-bridge. I GaN di potenza integrati hanno una RDS(ON) di 225 mΩ, una tensione di blocco drain-source di 650 V, mentre il lato alto del gate driver integrato può essere facilmente alimentato dal diodo di bootstrap integrato.

Perdita di recupero inversa pari a zero

Protezione UVLO su VCC

Diodo di bootstrap interno

Funzione di interblocco

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