MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo P, Tipo N 650 V, 300 mΩ Miglioramento, 6.5 A, 31 Pin, QFN-9, Superficie
- Codice RS:
- 287-7043
- Codice costruttore:
- MASTERGAN4LTR
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
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- MASTERGAN4LTR
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | MASTERG | |
| Tipo di package | QFN-9 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 31 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 300mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 40mW | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Larghezza | 9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, ECOPACK | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie MASTERG | ||
Tipo di package QFN-9 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 31 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 300mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 40mW | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Larghezza 9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, ECOPACK | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TH
Il microcontrollore STMicroelectronics è un sistema di alimentazione avanzato in un pacchetto che integra un gate driver e due transistor GaN in modalità enhancement in configurazione half-bridge. I GaN di potenza integrati hanno una RDS(ON) di 225 mΩ, una tensione di blocco drain-source di 650 V, mentre il lato alto del gate driver integrato può essere facilmente alimentato dal diodo di bootstrap integrato.
Perdita di recupero inversa pari a zero
Protezione UVLO su VCC
Diodo di bootstrap interno
Funzione di interblocco
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