MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, Tipo P 650 V, 220 mΩ Miglioramento, 9.7 A, 31 Pin, QFN-9, Superficie

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Codice RS:
287-7040
Codice costruttore:
MASTERGAN1LTR
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

9.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

QFN-9

Serie

MASTERG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

31

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

220mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

40mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Larghezza

9 mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

RoHS, ECOPACK

Lunghezza

9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il microcontrollore STMicroelectronics è un sistema di alimentazione avanzato in un pacchetto che integra un gate driver e due transistor GaN in modalità enhancement in configurazione half-bridge. I GaN di potenza integrati hanno una RDS(ON) di 150 mΩ, una tensione di blocco drain-source di 650 V, mentre il lato alto del gate driver integrato può essere facilmente alimentato dal diodo di bootstrap integrato.

Perdita di recupero inversa pari a zero

Protezione UVLO su VCC

Diodo di bootstrap interno

Funzione di interblocco

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