MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,5 Ω, 6,2 A, TO-247, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
486-6264
Codice costruttore:
STW8NK80Z
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

6,2 A

Tensione massima drain source

800 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,5 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

140 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

15.75mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

46 nC a 10 V

Larghezza

5.15mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

20.15mm

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics



Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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