MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,5 Ω, 6,2 A, TO-247, Su foro
- Codice RS:
- 486-6264
- Codice costruttore:
- STW8NK80Z
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 486-6264
- Codice costruttore:
- STW8NK80Z
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 6,2 A | |
| Tensione massima drain source | 800 V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 1,5 Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4.5V | |
| Tensione di soglia gate minima | 3V | |
| Dissipazione di potenza massima | 140 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 46 nC a 10 V | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 6,2 A | ||
Tensione massima drain source 800 V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 1,5 Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4.5V | ||
Tensione di soglia gate minima 3V | ||
Dissipazione di potenza massima 140 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -30 V, +30 V | ||
Materiale del transistor Si | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Carica gate tipica @ Vgs 46 nC a 10 V | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Altezza 20.15mm | ||
MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
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