MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,5 Ω, 4,4 A, TO-220, Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

4,4 A

Tensione massima drain source

520 V

Tipo di package

TO-220

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,5 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

70 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Carica gate tipica @ Vgs

16,9 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

4.6mm

Lunghezza

10.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

15.75mm