MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,4 Ω, 6 A, TO-220, Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

6 A

Tensione massima drain source

1200 V

Tipo di package

TO-220

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

2,4 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

150 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

4.6mm

Carica gate tipica @ Vgs

39 nC a 10 V

Lunghezza

10.4mm

Materiale del transistor

Si

Tensione diretta del diodo

1.6V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

14.9mm