MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 8 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP064NPBF

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

2,28 €

(IVA esclusa)

2,78 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 18 unità pronte per la spedizione
  • Più 308 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 42,28 €
5 - 92,04 €
10 - 141,93 €
15 - 191,82 €
20 +1,70 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
541-0008
Codice Distrelec:
303-41-342
Codice costruttore:
IRFP064NPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

170nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.9mm

Altezza

20.3mm

Larghezza

5.3 mm

Distrelec Product Id

30341342

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 110A, dissipazione di potenza massima 200W - IRFP064NPBF


Questo MOSFET rappresenta un componente elettronico ad alte prestazioni progettato per una gestione efficiente della potenza. Può gestire una corrente di drenaggio continua di 110A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 55V, rendendolo adatto all'uso nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettricità. Il design in modalità enhancement garantisce prestazioni ottimali in varie condizioni, evidenziando il suo ruolo nei sistemi elettronici contemporanei.

Caratteristiche e vantaggi


• La bassa resistenza di accensione di 8mΩ aumenta l'efficienza

• La dissipazione di potenza massima di 200W garantisce un funzionamento robusto

• In grado di resistere a temperature di esercizio fino a +175°C

• Versatile, compatibile con tensioni gate-source sia negative che positive

• La configurazione a singolo transistor supporta una varietà di applicazioni

Applicazioni


• Utilizzato nei circuiti di alimentazione che richiedono un'elevata efficienza

• Comune nei sistemi di controllo motore per l'automazione

• Appropriato per le apparecchiature di telecomunicazione

• Efficace nei sistemi di conversione di potenza in ambienti industriali

Qual è la potenza massima dissipata da questo componente?


La dissipazione di potenza massima è di 200 W, che supporta prestazioni robuste in diverse applicazioni.

Può operare in ambienti ad alta temperatura?


Sì, è in grado di funzionare efficacemente a temperature fino a +175°C, rendendolo adatto a condizioni difficili.

Che tipo di tensione del gate è necessaria per il funzionamento?


Questo dispositivo funziona con un intervallo massimo di tensione gate-source compreso tra -20V e +20V, consentendo opzioni di controllo flessibili.

In che modo il tipo di canale influenza le prestazioni?


Il tipo a canale N è ideale per le applicazioni che richiedono una commutazione efficiente e un'elevata gestione della corrente.

È adatto per le integrazioni di design a foro passante?


Sì, ha un pacchetto TO-247AC con un tipo di montaggio a foro passante, che rende semplice l'installazione in varie configurazioni.

Link consigliati