MOSFET Infineon, canale N 55 V, 8 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP064NPBF
- Codice RS:
- 541-0008
- Codice Distrelec:
- 303-41-342
- Codice costruttore:
- IRFP064NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
3,45 €
(IVA esclusa)
4,21 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 15 unità pronte per la spedizione
- Più 71 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 100 unità in spedizione dal 22 ottobre 2026
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 4 | 3,45 € |
| 5 - 9 | 3,09 € |
| 10 - 14 | 2,93 € |
| 15 - 19 | 2,76 € |
| 20 + | 2,57 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 541-0008
- Codice Distrelec:
- 303-41-342
- Codice costruttore:
- IRFP064NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 110A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 170nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 20.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.3mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 110A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 170nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 20.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.3mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 110A, dissipazione di potenza massima 200W - IRFP064NPBF
Caratteristiche e vantaggi
Applicazioni
Qual è la potenza massima dissipata da questo componente?
Può operare in ambienti ad alta temperatura?
Che tipo di tensione del gate è necessaria per il funzionamento?
In che modo il tipo di canale influenza le prestazioni?
È adatto per le integrazioni di design a foro passante?
Link consigliati
- MOSFET Infineon 8 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 110 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 55 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 5.3 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 12 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 110 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante SPW32N50C3FKSA1
- MOSFET Infineon 5.3 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFP1405PBF
- MOSFET Infineon 55 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPW60R055CFD7XKSA1
