MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 5.3 mΩ Miglioramento, 160 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP1405PBF

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Codice RS:
165-8165
Codice costruttore:
IRFP1405PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

160A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

310W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

120nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.29mm

Altezza

5.31mm

Larghezza

19.71 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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