MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 5.3 mΩ Miglioramento, 160 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 907-4996
- Codice costruttore:
- IRFP1405PBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
10,45 €
(IVA esclusa)
12,75 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 20 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 180 unità in spedizione dal 08 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,09 € | 10,45 € |
| 25 - 45 | 1,906 € | 9,53 € |
| 50 - 120 | 1,778 € | 8,89 € |
| 125 - 245 | 1,652 € | 8,26 € |
| 250 + | 1,526 € | 7,63 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 907-4996
- Codice costruttore:
- IRFP1405PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 160A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 120nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 310W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.29mm | |
| Altezza | 5.31mm | |
| Larghezza | 19.71 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-44-460 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 160A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 120nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 310W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.29mm | ||
Altezza 5.31mm | ||
Larghezza 19.71 mm | ||
Distrelec Product Id 304-44-460 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
