MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 12 mΩ Miglioramento, 81 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
919-4892
Codice costruttore:
IRFP054NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

81A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

130nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.9mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.3 mm

Altezza

20.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 81 A, dissipazione di potenza massima di 170 W - IRFP054NPBF


Questo MOSFET offre una soluzione robusta per prestazioni ad alta velocità e una gestione efficiente della potenza. Grazie alla configurazione a canale N, il dispositivo garantisce un funzionamento affidabile in diversi circuiti elettronici. Può sopportare correnti di scarico continue fino a 81A e ha una tensione nominale di 55V, il che lo rende una scelta notevole per i professionisti dei settori dell'automazione, dell'elettronica e della meccanica.

Caratteristiche e vantaggi


• La corrente di drenaggio continua massima di 81A supporta le applicazioni ad alte prestazioni

• La bassa resistenza di accensione di 12mΩ contribuisce a migliorare l'efficienza

• L'ampio intervallo di tensione di soglia del gate consente di progettare circuiti versatili

• L'elevata capacità di dissipazione di potenza, pari a 170 W, garantisce un funzionamento duraturo

• Il pacchetto compatto TO-247AC semplifica l'installazione

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di conversione di potenza e di controllo dei motori

• Integrato nei circuiti di alimentazione e di amplificazione

• Applicabile nei sistemi di energia rinnovabile per una commutazione efficiente

• Adatto per il settore automobilistico, per migliorare la resilienza delle prestazioni

Qual è la capacità massima di dissipazione di potenza di questo dispositivo?


La potenza massima dissipata è pari a 170 W, consentendo di gestire efficacemente carichi consistenti.

Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?


La tensione di soglia del gate varia da 2V a 4V, il che consente la compatibilità con vari progetti di circuiti e garantisce un funzionamento efficiente entro i parametri specificati.

Questo MOSFET può essere utilizzato in ambienti ad alta temperatura?


Sì, funziona in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, rendendolo adatto a condizioni termiche difficili.

Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di un RDS(on) basso?


Un basso RDS(on) di 12mΩ riduce la generazione di calore e migliora l'efficienza, aspetto fondamentale per le applicazioni ad alte prestazioni.

È facile da installare nei sistemi elettronici esistenti?


Il tipo di pacchetto TO-247AC è progettato per il montaggio a foro passante, rendendo semplice l'installazione in varie applicazioni.

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