MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 12 mΩ Miglioramento, 84 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
541-1714
Codice Distrelec:
303-41-261
Codice costruttore:
IRF1010EPBF
Costruttore:
International Rectifier
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Marchio

International Rectifier

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

84A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

130nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

8.77mm

Lunghezza

10.54mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.69 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

30341261

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 84 A, dissipazione di potenza massima di 200 W - IRF1010EPBF


Questo MOSFET è progettato per garantire prestazioni elevate in varie applicazioni elettroniche. Le sue caratteristiche di bassa resistenza di accensione e la capacità di sopportare elevate correnti di drenaggio continue ne fanno un componente chiave per gli ingegneri dei sistemi di automazione e gestione dell'alimentazione. Il dispositivo si comporta bene in ambienti difficili, garantendo un funzionamento costante in un'ampia gamma di temperature.

Caratteristiche e vantaggi


• Il basso RDS(on) contribuisce a ridurre al minimo la perdita di potenza alle alte correnti

• L'elevata capacità di corrente di drenaggio continua, fino a 84A, migliora l'efficienza

• Il pacchetto TO-220AB compatto consente un facile montaggio

• Le capacità di commutazione rapida migliorano le prestazioni complessive del circuito

• Completamente classificato per le valanghe per una maggiore protezione del dispositivo

Applicazioni


• Circuiti di alimentazione per una regolazione efficiente della tensione

• Sistemi di controllo del motore per un funzionamento preciso

• Circuiti di pilotaggio per correnti elevate

• Amplificazione del segnale nei dispositivi elettronici

Quali sono i valori di resistenza termica di questo prodotto?


La resistenza termica tra giunzione e involucro è di 0,75°C/W e la resistenza termica tra involucro e dissipatore su una superficie piana e ingrassata è di 0,50°C/W, consentendo un'efficiente dissipazione del calore.

Può operare in sicurezza in ambienti con temperature elevate?


Sì, funziona efficacemente a temperature fino a 175°C, il che lo rende adatto ad applicazioni in cui il calore è un problema.

Che tipo di corrente può gestire ad alte temperature?


A una temperatura di 100 °C, può gestire una corrente di drenaggio continua di 59 A, garantendo un funzionamento affidabile sotto carico.

In che modo la carica del gate influisce sulle sue prestazioni?


Con una carica di gate tipica di 130 nC a 10 V, consente una commutazione rapida e un funzionamento efficiente in applicazioni dinamiche.

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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