MOSFET Infineon, canale N, 52 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 541-2470
Codice Distrelec:: 303-41-337
Codice costruttore:: IRFI540NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 52 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 541-2470
Codice Distrelec:: 303-41-337
Codice costruttore:: IRFI540NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 20 A, dissipazione di potenza massima di 54 W - IRFI540NPBF

Questo MOSFET è stato sviluppato per applicazioni ad alte prestazioni nell'industria elettronica, svolgendo un ruolo cruciale nella gestione dell'alimentazione e fornendo una soluzione affidabile per la commutazione e l'amplificazione dei segnali elettronici. È in grado di gestire carichi di tensione e corrente significativi, garantendo l'efficienza dei moderni dispositivi elettronici.

Caratteristiche e vantaggi

• Corrente di drenaggio continua fino a 20A
• Tensione nominale di 100 V per prestazioni durature
• La bassa tensione di soglia del gate migliora l'efficienza di commutazione
• Elevata capacità di dissipazione di potenza, fino a 54W, per una maggiore durata
• Progettazione in modalità enhancement a canale N per una varietà di applicazioni
• La bassa resistenza drain-source di 52 mΩ riduce al minimo la perdita di energia

Applicazioni

• Utilizzato negli alimentatori per circuiti elettronici
• Applicabile nei sistemi di gestione dell'alimentazione per autoveicoli
• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per una maggiore efficienza
• Importante per la conversione di potenza nei sistemi di energia rinnovabile
• Impiegato in macchinari automatizzati per processi di controllo efficaci

Qual è il valore massimo di corrente continua per questo dispositivo?

Il dispositivo supporta una corrente di drenaggio continua massima di 20A, in grado di soddisfare diverse applicazioni.

In che modo la tensione di soglia del gate influisce sulle prestazioni?

La tensione di soglia del gate varia da 2V a 4V, facilitando una commutazione efficiente a tensioni di controllo inferiori e migliorando le prestazioni.

Questo dispositivo può funzionare in ambienti ad alta temperatura?

Sì, può funzionare a temperature che raggiungono i +175°C, garantendo prestazioni in condizioni difficili.

Esiste un tipo di montaggio specifico consigliato per ottenere prestazioni ottimali?

È adatto per il montaggio a foro passante, consentendo connessioni sicure e una gestione termica efficace in diverse applicazioni.

Quali vantaggi offre una bassa resistenza di drain-source?

La bassa resistenza drain-source di 52 mΩ riduce notevolmente la generazione di calore e migliora l'efficienza, in particolare nelle applicazioni di commutazione ad alta frequenza.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	52 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	54 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	94 nC a 10 V
Larghezza	4.83mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.63mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V
Altezza	8.9mm