MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 52 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRFI540NPBF

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Codice RS:
166-1055
Codice costruttore:
IRFI540NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

54W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

94nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.9mm

Lunghezza

10.63mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 20 A, dissipazione di potenza massima di 54 W - IRFI540NPBF


Questo MOSFET è stato sviluppato per applicazioni ad alte prestazioni nell'industria elettronica, svolgendo un ruolo cruciale nella gestione dell'alimentazione e fornendo una soluzione affidabile per la commutazione e l'amplificazione dei segnali elettronici. È in grado di gestire carichi di tensione e corrente significativi, garantendo l'efficienza dei moderni dispositivi elettronici.

Caratteristiche e vantaggi


• Corrente di drenaggio continua fino a 20A

• Tensione nominale di 100 V per prestazioni durature

• La bassa tensione di soglia del gate migliora l'efficienza di commutazione

• Elevata capacità di dissipazione di potenza, fino a 54W, per una maggiore durata

• Progettazione in modalità enhancement a canale N per una varietà di applicazioni

• La bassa resistenza drain-source di 52 mΩ riduce al minimo la perdita di energia

Applicazioni


• Utilizzato negli alimentatori per circuiti elettronici

• Applicabile nei sistemi di gestione dell'alimentazione per autoveicoli

• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per una maggiore efficienza

• Importante per la conversione di potenza nei sistemi di energia rinnovabile

• Impiegato in macchinari automatizzati per processi di controllo efficaci

Qual è il valore massimo di corrente continua per questo dispositivo?


Il dispositivo supporta una corrente di drenaggio continua massima di 20A, in grado di soddisfare diverse applicazioni.

In che modo la tensione di soglia del gate influisce sulle prestazioni?


La tensione di soglia del gate varia da 2V a 4V, facilitando una commutazione efficiente a tensioni di controllo inferiori e migliorando le prestazioni.

Questo dispositivo può funzionare in ambienti ad alta temperatura?


Sì, può funzionare a temperature che raggiungono i +175°C, garantendo prestazioni in condizioni difficili.

Esiste un tipo di montaggio specifico consigliato per ottenere prestazioni ottimali?


È adatto per il montaggio a foro passante, consentendo connessioni sicure e una gestione termica efficace in diverse applicazioni.

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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