1 MOSFET Infineon Singolo, canale Tipo N, 210 A 30 V, TO-247AC, Foro passante Miglioramento, 3 Pin IRFP3703PBF
- Codice RS:
- 543-1156
- Codice costruttore:
- IRFP3703PBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
1,53 €
(IVA esclusa)
1,87 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- Più 1 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
- Ultime 9 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,53 € |
| 10 - 24 | 1,46 € |
| 25 - 49 | 1,43 € |
| 50 - 99 | 1,33 € |
| 100 + | 1,24 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 543-1156
- Codice costruttore:
- IRFP3703PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 210A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TO-247AC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.8W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Altezza | 20.3mm | |
| Larghezza | 5.3 mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 210A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TO-247AC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.8W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Altezza 20.3mm | ||
Larghezza 5.3 mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, 210A di corrente di scarico continua massima, 3,8W di dissipazione di potenza massima - IRFP3703PBF
Questo MOSFET ad alta corrente è essenziale per le applicazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza. La sua tecnologia HEXFET garantisce il rispetto dei criteri di prestazione in diversi ambiti industriali ed elettronici. Come dispositivo a canale N, fornisce una gestione sostanziale della corrente e un controllo efficace della tensione in sistemi a semiconduttore robusti ed efficienti.
Caratteristiche e vantaggi
• Gestisce una corrente di drenaggio continua fino a 210 A
• La bassa resistenza di accensione, pari a 2,8 mΩ, riduce al minimo le perdite di potenza
• Ottimizzato per operazioni ad alta velocità con accensione e spegnimento rapidi
• La configurazione a singolo transistor semplifica la progettazione dei circuiti
Applicazioni
• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'alimentazione per una commutazione efficiente
• Applicato al raddrizzamento sincrono per migliorare la conversione di energia
• Integrato nelle apparecchiature di automazione industriale per un funzionamento affidabile
• Utilizzato negli alimentatori che richiedono un'elevata efficienza e una generazione di calore minima
• Adatto per il settore automobilistico che necessitano di componenti durevoli
Per quali tipi di applicazioni è più adatto questo dispositivo?
Questo dispositivo eccelle nella gestione dell'energia, in particolare nel raddrizzamento sincrono e nell'automazione industriale, grazie alle sue elevate capacità di gestione della corrente e della tensione.
In che modo l'elevata corrente di drenaggio continua influisce sulle prestazioni?
La capacità di gestire in modo continuo 210A consente di trasferire in modo efficiente l'energia e di ridurre la generazione di calore, migliorando così le prestazioni e l'affidabilità complessive.
Quali sono le implicazioni della bassa resistenza all'accensione?
La bassa resistenza di accensione, pari a 2,8 mΩ, riduce notevolmente le perdite di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza e favorendo la gestione termica in condizioni di carico elevato.
Quale gamma di temperature d'esercizio può gestire questo dispositivo?
Funziona efficacemente in un ampio intervallo di temperature, da -55°C a +175°C, rendendolo adatto a diversi ambienti difficili.
In che modo la configurazione del MOSFET migliora la progettazione dei circuiti?
La configurazione a singolo transistor semplifica i layout dei circuiti, riducendo il numero di componenti necessari e garantendo un funzionamento affidabile nelle applicazioni ad alta velocità.
Link consigliati
- 1 MOSFET Infineon Singolo 210 A 30 V Foro passante Miglioramento, 3 Pin IRFP3703PBF
- MOSFET Infineon 200 A Su foro
- MOSFET Infineon 70 A TO-247AC, Foro passante
- MOSFET Infineon 70 A TO-247AC, Foro passante IRFP4868PBF
- MOSFET di potenza Infineon 5.9 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET di potenza Infineon 5.9 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFP4568PBF
- MOSFET di potenza Infineon 1.85 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFP4368PBF
- MOSFET singoli Vishay 0.483 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
