1 MOSFET Infineon Singolo, canale Tipo N, 210 A 30 V, TO-247AC, Foro passante Miglioramento, 3 Pin IRFP3703PBF

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

1,53 €

(IVA esclusa)

1,87 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • Più 1 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
  • Ultime 9 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026
Unità
Per unità
1 - 91,53 €
10 - 241,46 €
25 - 491,43 €
50 - 991,33 €
100 +1,24 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
543-1156
Codice costruttore:
IRFP3703PBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

210A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-247AC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Singolo

Lunghezza

15.9mm

Altezza

20.3mm

Larghezza

5.3 mm

Numero elementi per chip

1

MOSFET Infineon serie HEXFET, 210A di corrente di scarico continua massima, 3,8W di dissipazione di potenza massima - IRFP3703PBF


Questo MOSFET ad alta corrente è essenziale per le applicazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza. La sua tecnologia HEXFET garantisce il rispetto dei criteri di prestazione in diversi ambiti industriali ed elettronici. Come dispositivo a canale N, fornisce una gestione sostanziale della corrente e un controllo efficace della tensione in sistemi a semiconduttore robusti ed efficienti.

Caratteristiche e vantaggi


• Gestisce una corrente di drenaggio continua fino a 210 A

• La bassa resistenza di accensione, pari a 2,8 mΩ, riduce al minimo le perdite di potenza

• Ottimizzato per operazioni ad alta velocità con accensione e spegnimento rapidi

• La configurazione a singolo transistor semplifica la progettazione dei circuiti

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'alimentazione per una commutazione efficiente

• Applicato al raddrizzamento sincrono per migliorare la conversione di energia

• Integrato nelle apparecchiature di automazione industriale per un funzionamento affidabile

• Utilizzato negli alimentatori che richiedono un'elevata efficienza e una generazione di calore minima

• Adatto per il settore automobilistico che necessitano di componenti durevoli

Per quali tipi di applicazioni è più adatto questo dispositivo?


Questo dispositivo eccelle nella gestione dell'energia, in particolare nel raddrizzamento sincrono e nell'automazione industriale, grazie alle sue elevate capacità di gestione della corrente e della tensione.

In che modo l'elevata corrente di drenaggio continua influisce sulle prestazioni?


La capacità di gestire in modo continuo 210A consente di trasferire in modo efficiente l'energia e di ridurre la generazione di calore, migliorando così le prestazioni e l'affidabilità complessive.

Quali sono le implicazioni della bassa resistenza all'accensione?


La bassa resistenza di accensione, pari a 2,8 mΩ, riduce notevolmente le perdite di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza e favorendo la gestione termica in condizioni di carico elevato.

Quale gamma di temperature d'esercizio può gestire questo dispositivo?


Funziona efficacemente in un ampio intervallo di temperature, da -55°C a +175°C, rendendolo adatto a diversi ambienti difficili.

In che modo la configurazione del MOSFET migliora la progettazione dei circuiti?


La configurazione a singolo transistor semplifica i layout dei circuiti, riducendo il numero di componenti necessari e garantendo un funzionamento affidabile nelle applicazioni ad alta velocità.

Link consigliati