MOSFET Infineon, canale N, 24 mΩ, 65 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 650-4277
Codice costruttore:: IRFB4227PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 24 mΩ, 65 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 650-4277
Codice costruttore:: IRFB4227PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	65 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	24 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	330 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	4.82mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	70 nC a 10 V
Lunghezza	10.66mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	9.02mm
Minima temperatura operativa	-40 °C

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