MOSFET Infineon, canale N 200 V, 24 mΩ Miglioramento, 65 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRFB4227PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
650-4277
Codice costruttore:
IRFB4227PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

330W

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.02mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.66mm

Larghezza

4.82mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 200 V, corrente di drenaggio continua massima 65 A - IRFB4227PBF


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione e il controllo di potenza in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un pacchetto TO-220 a foro passante adatto per il montaggio su scheda convenzionale. Il dispositivo è conforme ai requisiti RoHS ed è destinato ad applicazioni che richiedono una gestione della corrente continua e una notevole resilienza termica.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa Rds(on) di 24 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 330 W consente una gestione prolungata del carico termico
• La carica gate di 70 nC consente transizioni di commutazione più veloci
• La tolleranza del gate di 30 V supporta robusti margini di azionamento del gate
• La classificazione da -40 °C a 175 °C supporta ampi ambienti operativi

Applicazioni


• Adatto per controller di motori CC ad alta corrente
• Ideale per alimentatori switching e convertitori
• Utilizzato con sistemi di gestione delle batterie e di distribuzione dell'alimentazione
• Può essere utilizzato per gli stadi degli inverter industriali
• Adatto per la commutazione di potenza per impieghi generici su schede a foro passante

Qual è il contenitore e lo stile di montaggio del dispositivo?


È fornito in un contenitore TO-220 e progettato per il montaggio a foro passante.

Quali temperature d'esercizio estreme può sopportare?


È progettato per funzionare da -40 °C fino a 175 °C.

In che modo il dispositivo risponde alle restrizioni normative sui materiali?


È conforme agli standard RoHS che limitano le sostanze pericolose.

Qual è il tipo di canale e la modalità di conduzione?


Si tratta di un dispositivo a canale N che funziona in modalità di potenziamento.

Quali sono i limiti di tensione di gate e di drenaggio?


Il gate ha un valore nominale di ±30 V e la tensione massima da drain a sorgente è di 200 V.

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