MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ Miglioramento, 210 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRFB3077PBF

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

3,06 €

(IVA esclusa)

3,73 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 126 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
  • Più 954 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 93,06 €
10 - 242,90 €
25 - 492,84 €
50 - 992,67 €
100 +2,47 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
650-4716
Codice Distrelec:
303-41-316
Codice costruttore:
IRFB3077PBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

210A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

370W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

160nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.82 mm

Altezza

9.02mm

Lunghezza

10.66mm

Standard/Approvazioni

No

Distrelec Product Id

30341316

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, 210A di corrente continua massima di drain, 75V di tensione massima di source drain - IRFB3077PBF


Questo MOSFET è un componente elettronico di potenza ad alte prestazioni adatto a varie applicazioni esigenti. Progettato con tecnologia Si MOSFET, presenta un package TO-220AB MOSFET che consente un'efficace gestione termica. Con una corrente di drenaggio continua massima di 210A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 75V, eccelle nelle applicazioni ad alta corrente e garantisce prestazioni affidabili in condizioni difficili.

Caratteristiche e vantaggi


• Raggiunge un basso RDS(on) di 3,3mΩ per un funzionamento efficiente

• Progettato per la modalità di potenziamento, a supporto di applicazioni robuste

• L'elevata dissipazione di potenza massima di 370W ottimizza la longevità del dispositivo

• Il miglioramento della resistenza alle valanghe e alla dinamica dV/dt garantisce la sicurezza

• Capacità completamente caratterizzata, per migliorare le prestazioni di commutazione

• Adatto alla commutazione di potenza ad alta velocità con eccellente stabilità termica

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di raddrizzamento sincrono ad alta efficienza

• Ideale per le configurazioni con gruppi di continuità

• Efficace nei circuiti a commutazione dura e ad alta frequenza

• Facilita la gestione efficiente dell'energia nei sistemi di automazione industriale

• Supporta vari progetti di alimentazione elettrica e meccanica

Quale intervallo di temperatura operativa può sopportare questo componente?


Funziona in modo affidabile in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, rendendolo adatto a un'ampia varietà di ambienti.

In che modo il basso RDS(on) è vantaggioso per l'applicazione?


La bassa RDS(on) riduce significativamente la perdita di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza energetica e le prestazioni termiche nelle applicazioni che richiedono un flusso di corrente elevato.

Quali sono i vantaggi del formato TO-220AB?


Questo formato di package garantisce una migliore dissipazione del calore e una più facile installazione, in particolare negli scenari di montaggio a foro passante, promuovendo progetti di circuiti robusti.

Che tipo di tensione di soglia del gate richiede?


Il componente supporta una tensione di soglia del gate compresa tra 2V e 4V, consentendo la compatibilità con diversi circuiti di controllo.

Link consigliati