MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 100 mΩ Miglioramento, 4 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie NDT3055L

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-1090
Codice costruttore:
NDT3055L
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NDT

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Altezza

1.6mm

Larghezza

3.56 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-43-740

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


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