- Codice RS:
- 671-1090
- Codice costruttore:
- NDT3055L
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 5
0,938 €
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1,144 €
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Unità | Per unità | Per Pack* |
5 - 35 | 0,938 € | 4,69 € |
40 - 195 | 0,678 € | 3,39 € |
200 - 995 | 0,452 € | 2,26 € |
1000 - 1995 | 0,386 € | 1,93 € |
2000 + | 0,378 € | 1,89 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 671-1090
- Codice costruttore:
- NDT3055L
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor
I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 4 A |
Tensione massima drain source | 60 V |
Tipo di package | SOT-223 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 100 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 1V |
Dissipazione di potenza massima | 3 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Lunghezza | 6.5mm |
Carica gate tipica @ Vgs | 13 nC a 10 V |
Larghezza | 3.56mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Materiale del transistor | Si |
Minima temperatura operativa | -65 °C |
Altezza | 1.6mm |
- Codice RS:
- 671-1090
- Codice costruttore:
- NDT3055L
- Costruttore:
- onsemi
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