Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 100 mΩ Miglioramento, 4 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie NDT3055L

Codice RS:: 671-1090
Codice Distrelec:: 304-43-740
Codice costruttore:: NDT3055L
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 100 mΩ Miglioramento, 4 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie NDT3055L

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100 - 495	0,89 €	4,45 €
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*prezzo indicativo

Codice RS:: 671-1090
Codice Distrelec:: 304-43-740
Codice costruttore:: NDT3055L
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	SOT-223
	Serie	NDT
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	100mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	3W
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.6mm
	Lunghezza	6.5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	3.56mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package SOT-223
	Serie NDT
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 3W
	Minima temperatura operativa -65°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.6mm
	Lunghezza 6.5mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 3.56mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor

I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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