MOSFET onsemi, canale P, 65 mΩ, 5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 671-1100
Codice costruttore:: NDT452AP
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 65 mΩ, 5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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500 - 995	0,554 €	2,77 €
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Codice RS:: 671-1100
Codice costruttore:: NDT452AP
Costruttore:: onsemi

Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin SOT-223
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	3.56mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	6.5mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	22 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-65 °C
Altezza	1.6mm

MOSFET onsemi, canale P, 65 mΩ, 5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni:

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