MOSFET onsemi, canale Tipo P 30 V, 65 mΩ Miglioramento, 5 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie NDT452AP

Codice RS:: 671-1100
Codice costruttore:: NDT452AP
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo P 30 V, 65 mΩ Miglioramento, 5 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie NDT452AP

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50 - 95	1,174 €	5,87 €
100 - 495	1,018 €	5,09 €
500 - 995	0,892 €	4,46 €
1000 +	0,814 €	4,07 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 671-1100
Codice costruttore:: NDT452AP
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SOT-223
	Serie	NDT
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	65mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	3W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	22nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.5mm
	Altezza	1.6mm
	Larghezza	3.56 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No
	Distrelec Product Id	304-43-741

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SOT-223
	Serie NDT
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 65mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Minima temperatura operativa -65°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 3W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.5mm
	Altezza 1.6mm
	Larghezza 3.56 mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No
	Distrelec Product Id 304-43-741

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce.

Caratteristiche e vantaggi:

• Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata

• Progettazione celle ad alta densità

• Corrente di saturazione elevata

• Commutazione superiore

• Prestazioni robuste e affidabili

• Tecnologia DMOS

Applicazioni:

• Commutazione del carico

• Convertitore DC/DC

• Protezione della batteria

• Controllo della gestione dell'alimentazione

• Comando motore DC

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.