MOSFET DiodesZetex, canale P, 100 mΩ, 6,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 708-2469
Codice costruttore:: ZXMP4A16GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 100 mΩ, 6,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 708-2469
Codice costruttore:: ZXMP4A16GTA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	6,4 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	3.9 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	6.7mm
Larghezza	3.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	26,1 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale P, 100 mΩ, 6,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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