MOSFET Vishay, canale N, 450 mΩ, 14 A, TO-220AB, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
708-4759
Codice costruttore:
IRFB13N50APBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

14 A

Tensione massima drain source

500 V

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

450 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

250 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

10.41mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

81 nC a 10 V

Larghezza

4.7mm

Materiale del transistor

Si

Altezza

9.01mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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