MOSFET Vishay, canale P, 19 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 710-5020
Codice costruttore:: SUM55P06-19L-E3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 19 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 5

2,576 €

(IVA esclusa)

3,143 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 45	2,576 €	12,88 €
50 - 120	2,214 €	11,07 €
125 - 245	2,06 €	10,30 €
250 - 495	1,93 €	9,65 €
500 +	1,546 €	7,73 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 710-5020
Codice costruttore:: SUM55P06-19L-E3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	55 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	19 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	3750 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	9.65mm
Lunghezza	10.41mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	76 nC a 10 V
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C