MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 19 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SUM55P06-19L-E3

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Codice RS:
919-0925
Codice costruttore:
SUM55P06-19L-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

SUM55P06-19L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

19mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

76nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3.75W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

-1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.41mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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