MOSFET Vishay

Il MOSFET TO-263-3 a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 19mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 375W e corrente di drain continua di 90A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• interruttori di carico
• PC notebook
• alimentazione del sistema

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007