MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.019 Ω, 90 A 100 V, TO-263, Superficie, 3 Pin
- Codice RS:
- 180-7421
- Codice costruttore:
- SUM90P10-19L-E3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-7421
- Codice costruttore:
- SUM90P10-19L-E3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 90A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.019Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 97nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 0.625in | |
| Larghezza | 10.414 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 90A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.019Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 97nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 0.625in | ||
Larghezza 10.414 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-263-3 a canale P, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 19mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 375W. Può essere utilizzato nell'interruttore lato primario. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• componente senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
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