MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P, 0.0112 Ω, 110 A 80 V, TO-263, Superficie, 3 Pin SUM110P08-11L-E3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7977
Codice costruttore:
SUM110P08-11L-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0112Ω

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

85nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.414 mm

Lunghezza

15.875mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-263-3 a canale P di nuova generazione con una tensione drain-source di 80V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 11,2 MOhm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 375W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• componente senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• interruttori adattatori

• interruttori primari c.c./c.c.

• interruttori di carico

• Gestione dell'alimentazione

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