MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.0088 Ω Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SUM110P06-07L-E3
- Codice RS:
- 710-5060
- Codice costruttore:
- SUM110P06-07L-E3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
20,94 €
(IVA esclusa)
25,545 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 20 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 585 unità in spedizione dal 16 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,188 € | 20,94 € |
| 25 - 45 | 3,564 € | 17,82 € |
| 50 - 120 | 3,35 € | 16,75 € |
| 125 - 245 | 3,136 € | 15,68 € |
| 250 + | 2,932 € | 14,66 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 710-5060
- Codice costruttore:
- SUM110P06-07L-E3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 110A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0088Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 230nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 15.875mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 110A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0088Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 230nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 15.875mm | ||
Standard automobilistico No | ||
CARATTERISTICHE
MOSFET di potenza • TrenchFET®
Contenitore • con bassa resistenza termica
MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Link consigliati
- MOSFET Vishay 0.0088 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SUM110P06-08L-E3
- MOSFET Vishay 8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Vishay 0.0112 Ω TO-263 3 Pin SUM110P08-11L-E3
- MOSFET Vishay 19 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SUM55P06-19L-E3
- MOSFET di potenza Vishay 0.0112 Ω TO-263 3 Pin
- MOSFET Vishay 19 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.019 Ω TO-263 3 Pin SUM90P10-19L-E3
