MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.0088 Ω Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 8 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
Codice RS
919-0922

Unità (Su Bobina da 800)

2,101 €

(IVA esclusa)

2,563 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
919-0938
Codice costruttore:
SUM110P06-07L-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0088Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

230nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.875mm

Altezza

4.83mm

Larghezza

10.414 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
CARATTERISTICHE

MOSFET di potenza • TrenchFET®

Contenitore • con bassa resistenza termica

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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