MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 7.7 mΩ Miglioramento, 98 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC077N12NS3GATMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 unità*

2,15 €

(IVA esclusa)

2,62 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 3429 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +2,15 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
754-5285
Codice costruttore:
BSC077N12NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

98A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

66nC

Dissipazione di potenza massima Pd

139W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

5.35mm

Larghezza

6.1 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati