MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 14.2 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ097N04LSGATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
754-5367
Codice costruttore:
BSZ097N04LSGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TSDSON

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

35W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Larghezza

3.4 mm

Lunghezza

3.4mm

Distrelec Product Id

304-45-305

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, fino a 40 V


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

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Transistor MOSFET, Infineon


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